TRANSISTOR IRFB5620 TO-220
Ref : TRIRFB5620
Fabricant
INFINEON TECHNOLOGIES
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
HEXFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
200V
Courant du drain
25A
Puissance de dissipation
144W
Boitier
TO220AB
Tension entrée-source
20V
Résistance en état de conduction
72.5mO
Montage
THT
Charge d'entrée
25nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi