Fabricant IXYS
Type de transistor P-MOSFET
La technologie TrenchP
Polarisation unipolaire
Tension drain-source -65V
Courant du drain -28A
Puissance de dissipation 83W
Boitier TO220AB
Tension entrée-source 15V
Résistance en état de conduction 45mO
Montage THT
Charge d'entrée 46nC
Genre de la emballage tube
Genre de canal enrichi
Temps d'attente 31ns